Теперь можно с уверенностью говорить, что первый в мире модуль DDR4 DRAM создан. Об этом объявила компания Samsung Elektronics. Новый модуль создан по 30-нм техпроцессу. В качестве подтверждения успешного завершения работы были продемонстрированы представленные модули 1.2V 2GB DDR4 форм-фактора unbufered dual in-line memory modyles (UDIMM), подключенные к контроллеру. Созданные модули DDR4 DRAM позволяют передавать информацию со скоростью в 2.133Gbps при 1.2V, в сравнении с 1.35V и 1.5V DDR3 DRAM, которые были изготовлены по эквивалентному 30-нм процессу, скорость передачи информации, у которых не превышает предел 1.6Gbps. В ноутбуках, модуль DDR4 позволит сократить потребление энергии более чем на 40 процентов в сравнении с модулем 1.5V DDR3.
Модуль DDR4 DRAM изготовлен с внедрением технологии Pseydo Open Drain (POD). Данная технология позволяет значительно сократить потребление необходимой энергии во время записи информации и чтения вдвое, в сравнении с DDR3. Использование новой структуры строения цепи, DDR4 сможет ускоряться до 3.2Gbps. Для примера, типичная скорость в модуле DDR3 - 1.6Gbps, а в модуле DDR2 и того ниже - 800Mbps.
Модуль DDR4 DRAM изготовлен с внедрением технологии Pseydo Open Drain (POD). Данная технология позволяет значительно сократить потребление необходимой энергии во время записи информации и чтения вдвое, в сравнении с DDR3. Использование новой структуры строения цепи, DDR4 сможет ускоряться до 3.2Gbps. Для примера, типичная скорость в модуле DDR3 - 1.6Gbps, а в модуле DDR2 и того ниже - 800Mbps.
Samsung плотно сотрудничает с производителями серверов, которые позволят завершить стандартизацию DDR4 во втором полугодии текущего года.
Samsung продолжает активно поддерживать ИТ-индустрию, продвигая инициативу внедрения зеленой памяти. В этом направлении ведется эффективная работа по разработке экологических и высокоэффективных технологий памяти.
